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电子元器件详细资料 » IC[2272] » RSD200N10TL
型号:RSD200N10TL类别:FET - 单制造商:Rohm Semiconductor
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63描述:MOSFET N-CH 100V 20A CPT3

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
系列-
制造商Rohm Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)100V
电流_连续漏极(Id)0a025000C20A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C52 毫欧 @ 10A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.5V @ 1mA
闸电荷(Qg)0a0Vgs48.5nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds2200pF @ 25V
功率_最大20W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装CPT3
包装剪切带 (CT)

供应商

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深圳市格雷迪电子有限公司林先生15914072177
深圳市华斯顿电子科技有限公司朱咸华0755-83777708/83777607/82799993
深圳市正信鑫科技有限公司小邹0755-22655674/15099917285
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